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TB67H400AFNG有刷直流步进电机中文产品规格书datasheet

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时间：2024.10.09

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TB67H400AFNG是一款采用BiCD工艺的高效有刷直流马达驱动器，具有以下显著特点：高电压与大电流承载能力：支持高达50V的工作电压以及在单通道模式下8A的峰值电流（双通道模式下为4A），能够轻

TB67H400AFNG 直流步进电机中文产品规格书 datasheet
TB67H400AFNG有刷直流马达驱动产品规格书datasheet

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时间：2024.10.09

上传者：东芝铠侠代理

TB67H400AFNG是一款采用BiCD工艺的高效有刷直流马达驱动器，具有以下显著特点：高电压与大电流承载能力：支持高达50V的工作电压以及在单通道模式下8A的峰值电流（双通道模式下为4A），能够轻

TB67H400AFNG 直流马达驱动产品规格书 datasheet
Toshiba东芝TB62269FTG两相双极步进电机驱动IC 产品规格书datasheet

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时间：2024.09.19

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单芯片驱动两相双极步进电机TB62269FTG可通过单芯片实现对两相双极步进电机的驱动，极大简化了电机驱动电路的设计，同时节省了电路板空间。PWM控制的恒流驱动该芯片采用PWM恒流控制方式，能够精确控
Toshiba东芝TB62214AFTG双全桥驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.08.23

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高电压和电流能力TB62214AFTG能够在最高40V电压下运行，并能处理每通道高达1.5A的电流（峰值2.5A），为苛刻的电机控制应用提供了充足的余量。这使其特别适合需要高扭矩和高速的应用。低导通电

toshiba 东芝 TB62214AFTG 全桥驱动 ic 产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝TLP176AM产品规格书datasheet

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时间：2024.08.23

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隔离电压：TLP176AM的隔离电压高达3750Vrms，确保电路免受电压尖峰和噪声的影响，非常适合高压应用场景。输出电流：TLP176AM能够处理高达30µA的输出电流，尽管数值不大，但足以驱动低功

toshiba 东芝 TLP176AM 产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝74VHC74FT产品规格书datasheet

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时间：2024.08.16

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高速运行74VHC74FT在5V供电时的典型最大时钟频率为170MHz，非常适合用于高速数字电路。它的速度可与双极性肖特基TTL相媲美，同时保持了CMOS技术的低功耗特性。低功耗该器件在25°C时的最

toshiba 东芝 74VHC74FT 产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝 TK49N65W5 MOSFET产品规格书datasheet

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时间：2024.08.16

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低漏源导通电阻（RDS(ON)）：TK49N65W5在标准条件下（VGS=10V,ID=24.6A）的典型RDS(ON)值仅为0.051Ω。这种低电阻确保了操作期间的功率损耗最小化，对于高效能电源和转

toshiba 东芝 TK49N65W5 mosfet 产品规格书 datasheet
Toshiba东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC中文产品规格书datasheet

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时间：2024.07.18

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B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
TOSHIBA东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.07.18

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B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
TOSHIBA东芝TB67S128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.07.05

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关键特性包括：BiCD工艺集成：确保高效率和可靠性。PWM斩波控制：实现精确的电流控制。宽步进分辨率：支持全步、半步、1/4步、1/8步、1/16步、1/32步、1/64步和1/128步操作。高电压和

toshiba 东芝 TB67S128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
东芝TB5128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.06.17

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TB5128FTG拥有众多确保高性能、可靠性和灵活性的特性：BiCD工艺集成：在单片IC中结合了双极、CMOS和DMOS工艺，提升性能。多功能电机控制：能够通过PWM控制恒流驱动控制一个双极步进电机。

东芝 TB5128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
Toshiba东芝TB6560AHQ中文版产品规格书datasheet

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时间：2024.06.17

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TB6560AHQ采用先进的驱动电路设计,能够提供高达3.5A的大电流输出,可轻松驱动功率较大的步进电机。同时,它内置了32/16/8/4微步控制功能,在提高电机运行平稳性的同时,还能够实现更高的定位

toshiba 东芝 TB6560AHQ 中文版产品规格书 datasheet
LG磁控管-2M214

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时间：2024.04.08

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LG磁控管-2M214参数资料

LG 70910
【IRF9Z24NSTRLPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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型号：IRF9Z24NSTRLPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大电流：-30A-开通态电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±

IRF9Z24NSTRLPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【RSS100N03TB-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：RSS100N03TB-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：30V-最大漏电流：12A-静态导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20

RSS100N03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO6402A-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AO6402A-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AO6402A-VB**丝印：**VB7322**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

AO6402AVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【SI2312DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI2312DS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-*

SI2312DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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